[发明专利]一种薄膜太阳能电池的生产方法及其电沉积装置

摘要

本发明所述薄膜太阳能电池生产方法，所述第一沟槽内填充与吸收层相同的物质，所述吸收层的物质为半导体，并在长条接触电极空缺内直接填充与背电极层相同的物质，背电极与吸收层直接的接触的电阻很大，因而不会对太阳能电池单元的串联有影响；即在薄膜太阳能电池中不需要填充电绝缘物质，而电绝缘物质不参与光电转换，即减少了死区面积，从而避免了电绝缘物质对太阳能电池的占用，提高了太阳能电池参与光电转换的面积。此外，当所使用的接触电极为长条接触电极，电沉积完毕后移除长条接触电极所得到的长条接触电极空缺代替了原先需要刻划的沟槽的工序，对生产材料的浪费减少，而且节省了工序，进而降低了生产成本。

主权项

一种薄膜太阳能电池的生产方法，包括如下步骤：(a)在玻璃基底上形成透明导电层；(b)在所述透明导电层上形成窗口层；(c)接触电极穿透所述窗口层与所述透明导电层欧姆接触；(d)在步骤(c)中的所述透明导电层上，与所述接触电极相邻位置、贯通所述透明导电层和所述窗口层进行划沟槽工序得到第一沟槽；(e)将步骤(d)中获得的半成品放置于电沉积槽内，对所述接触电极和对电极进行通电，在所述窗口层上电沉积吸收层并同时填充所述第一沟槽；(f)在步骤(e)的所述吸收层上形成背接触层或在背接触层上还继续形成背电极层；(g)移除所述接触电极，所述接触电极为顶针接触电极或长条接触电极，所述长条接触电极的长边与所述第一沟槽的长边延伸方向相同；当所述接触电极为顶针接触电极时，移除所述接触电极后在该半成品上形成的接触电极空缺为顶针孔，与所述第一沟槽平行穿过所述顶针孔进行划沟槽工序得到第二沟槽；当所述接触电极为长条接触电极时，移除所述接触电极后在该半成品上形成的接触电极空缺为长条形沟槽，所述长条形沟槽为第二沟槽并与所述第一沟槽平行；(h)当步骤(f)中所述吸收层上只形成背接触层时，填充在步骤(g)中获得的半成品的所述第二沟槽后再形成背电极层或在步骤(g)中获得的半成品上同时形成背电极层和填充所述第二沟槽；当步骤(f)中所述吸收层上在形成背接触层后在背接触层上还继续形成背电极层时，填充在步骤(g)中获得的半成品的所述第二沟槽；(i)对步骤(h)中获得的半成品的所述吸收层上，与所述第二沟槽平行且相邻位置、贯通所述背电极层进行划沟槽工序得到第三沟槽；(j)对步骤(i)中获得的半成品进行电池封装。