[发明专利]CMOS工艺、CMOS晶体管和AMOLED

摘要

本发明的一种CMOS工艺包括步骤：S1、形成缓冲层；S2、形成非晶硅层；S3、沟道参杂P型离子和N型离子；S4、结晶化及LTPS patterning等步骤。一种CMOS TFT，PMOS及NMOS TFT沟道通过上述方法掺杂有P型离子和N型离子。本发明的AMOLED使用上述CMOS TFT作为驱动单元元件。有益效果在于，在沟道中掺杂N型离子，使NMOS及PMOSTFT的阈值电压向负极性方向移动，由于阈值电压差接近OV，导致NMOS及PMOS TFT的阈值电压间隔增加。因此，本发明的TFT及其制备方法应用于AMOLED器件可通过减少开电流，来减少消耗电流。

主权项

一种CMOS工艺，包括步骤： S1、形成缓冲层； S2、形成非晶硅层； S3、沟道参杂P型离子和N型离子； S4、结晶化及LTPS patterning； S5、形成栅极绝缘层及栅极电极； S6、掺杂LTPS源极区域及漏极区域； S7、形成层间绝缘层及接触孔； S8、形成源电极及漏电极。