[发明专利]集成电路硅片分割方法在审
| 申请号： | 201410226459.3 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105226017A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 肖海滨;金玮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路硅片分割方法，步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。本发明能够将芯片分割开，且芯片边缘整齐，无崩缺、裂纹等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 硅片 分割 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路硅片分割方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
