[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，其中低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域；沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔；同时进行离子激活和氢化处理；沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。由于将离子激活和氢化处理同时进行，可以缩短制程，从而降低了器件制作的热成本和时间成本。接触孔形成后进行离子激活和氢化处理，氮等离子处理能够有效修补多晶硅薄膜内部和界面的悬挂键，改善多晶硅薄膜的界面特性，因此可以提升离子的激活效率和氢化效果，从而能够有效提高器件的迁移率和开关比等电学特性。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1、在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域；S2、沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔；S3、同时进行离子激活和氢化处理；S4、沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。