[发明专利]硅片上各芯片的电容参数的测量方法

摘要

本发明提供一种硅片上各芯片的电容参数的测量方法，包括：选取测试硅片，将电容表的测量探针移至测试硅片上各芯片的上方进行一轮非接触的空测，获得当前测量环境下测试硅片上不同位置的各芯片的零电容数据；提供待测硅片，将测量探针分别接触待测硅片上的各芯片进行正式测量，每测量一个芯片，就将测得值减去与测试硅片上同样位置的芯片的零电容数据，得到待测硅片上各个被测的芯片的实际电容值；将各个被测的芯片经过运算调零后的实际电容值分别与规范值进行比较，判定芯片是否合格，并作为数据记录保存起来。本发明能够克服硅片背面表面电容的分布效应和寄生效应，对硅片上各芯片的小电容参数进行快速而精确的测量，满足大批量生产的需求。

主权项

一种硅片上各芯片的电容参数的测量方法，包括：预调零步骤：选取一片测试硅片，将电容表的测量探针依次移至所述测试硅片上各芯片的上方进行一轮非接触的空测，获得当前测量环境下所述测试硅片上不同位置的各所述芯片的零电容数据；正式测量步骤：提供待测硅片，将所述测量探针分别接触所述待测硅片上的各芯片进行正式测量，每测量一个所述芯片，就将测得值减去与所述测试硅片上同样位置的所述芯片的所述零电容数据，得到所述待测硅片上各个被测的芯片的实际电容参数值。