[发明专利]一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法

摘要

本发明涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号，该电流、电压信号依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大和模数转换，最后得到电压和电流的模拟量并根据公式计算出太阳能硅片的电阻率。本方法相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。

主权项

一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号；步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号；步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号；步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电压的模拟量V；步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电流的模拟量i；步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流的模拟量i根据以下公式计算出太阳能硅片的电阻率：$\mathrm{\ρ}=(\frac{V}{i}\·\frac{L}{\mathrm{AM}})t$其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，M为电涡流激励器f1激励与硅片电涡流之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。