[发明专利]Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法在审
| 申请号： | 201410231382.9 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105197872A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 顾佳烨;王宇翔 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法，所述预处理方法包括如下步骤：提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底；充入化学性质不活泼的气体，排除空气，防止所述锗顶层及铝顶层被氧化。本发明的优点在于，没有采用还原性气体去除铝及锗表面的氧化层，而是采用化学性质不活泼的气体排除空气，防止铝及锗氧化。在预键合及键合过程中只存在非活泼性气体（如N2）或者惰性气体，无需还原性气体（通常是H2）的引入，简化工艺，降低成本，提高工艺操作安全性。 | ||
| 搜索关键词： | al ge 共晶键合 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种Al‑Ge共晶键合预处理方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底； 充入化学性质不活泼的气体，排除空气，防止所述锗顶层及铝顶层被氧化。
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