[发明专利]一种用于加热的二氧化锡导电薄膜的生产工艺无效
| 申请号： | 201410233398.3 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103997803A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张志昌 | 申请（专利权）人： | KMT纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/12 | 分类号： | H05B3/12 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 陈健 |
| 地址： | 中国香港中环1*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于加热的二氧化锡导电薄膜的生产工艺，属于薄膜材料领域。将四氯化锡、三氯化锑及乙二醇、聚乙烯醇中的一种或两种溶解于乙醚、丙酮、甲醇中的一种，形成稳定透明的溶液。采用压缩空气、超声波振荡或者加热使上述溶液形成液滴或者气态，传输到耐高温无机绝缘平板上，从而形成导电的二氧化锡薄膜，对该薄膜通电后，温度升高，该功能可以用来制作如注塑机的加热元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加热 氧化 导电 薄膜 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种用于加热的二氧化锡导电薄膜的生产工艺，包括溶液的准备，将溶液转化为液滴或者气态形式并传输到高温的耐高温无机绝缘平板表面，以及形成二氧化锡导电薄膜等步骤。
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