[发明专利]各向异性磁电阻薄膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种各向异性磁电阻薄膜的制造方法，包括步骤步骤一、提供一氮化硅薄膜基片并进行刻蚀预处理。步骤二、进行Ni81Fe19薄膜的成膜，成膜工艺包括多步沉积和刻蚀工艺。步骤三、进行氮化钽薄膜的成膜。步骤四、进行退火处理。本发明通过在Ni81Fe19薄膜的成膜工艺中采用多步沉积和刻蚀交替进行的方法，能够提高成膜质量，能在不增加薄膜厚度的情况下增加薄膜的AMR值，且能使薄膜的磁特性敏感并具有良好的热稳定性。

主权项

一种各向异性磁电阻薄膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一氮化硅薄膜基片，采用刻蚀工艺对所述基片进行预处理以增加所述基片表面的粗糙度，干扰后续薄膜晶体趋向成膜；步骤二、采用PVD工艺方法在所述基片表面进行Ni81Fe19薄膜的成膜，Ni81Fe19薄膜的成膜工艺由多步沉积工艺和刻蚀工艺组成，所述Ni81Fe19薄膜的成膜工艺中的各步沉积工艺都采用PVD工艺沉积、在每两步沉积工艺之间都进行一次在位的刻蚀工艺处理，所述Ni81Fe19薄膜的成膜工艺中的刻蚀工艺用于增加成膜表面的粗糙度，干扰后续薄膜晶体趋向成膜；步骤三、在所述Ni81Fe19薄膜表面进行氮化钽薄膜的成膜；步骤四、对所述Ni81Fe19薄膜和所述氮化钽薄膜进行退火处理从而形成各向异性磁电阻薄膜。