[发明专利]半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法。半导体衬底包含第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层、第二电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间。第一电介质层包含至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。所述至少一个导通孔将第一图案化金属层电连接到第二图案化金属层。第二电介质层邻接于第一电介质层。第二电介质层包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。载体层邻接于第二电介质层并具有多个第二开口。所述第二开口中的每一者的位置与所述第一开口中的每一者的位置实质上相对应。

主权项

一种半导体衬底，其包含：第一图案化金属层；第二图案化金属层，其位于所述第一图案化金属层下方；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔，所述至少一个导通孔从所述第一图案化金属层延伸到所述第二图案化金属层，所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接；第二电介质层，其邻接于所述第一电介质层且包覆所述第二图案化金属层，并且所述第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层；以及载体层，其邻接于所述第二电介质层并具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。