[发明专利]集成电路及制造具有包覆非平面晶体管结构的集成电路的方法有效
| 申请号： | 201410234169.3 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217998B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | K·M·阿卡瓦尔达;A·P·雅各布 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路及制造具有包覆非平面晶体管结构的集成电路的方法。在示例性实施例中，一种用于制造集成电路的方法包括提供半导体基底。本方法蚀刻半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构。在标准(100)<110>基底上，若鳍部对准或垂直于<110>晶圆凹口，则鳍部侧壁具有(110)表面平面。本方法包括沿着非平面晶体管结构的侧壁沉积牺牲衬垫。还有，约束材料沉积覆盖在半导体基底上并且邻近牺牲衬垫。本方法包括移除至少一部分牺牲衬垫并且在非平面晶体管结构的侧壁与约束材料之间形成空隙。包覆层外延生长于空隙中。由于侧壁生长受限于约束材料，具有(110)侧壁及(100)顶部表面的鳍部上能有厚度均匀的包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 具有 包覆非 平面 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成电路的方法，包含：提供半导体基底；蚀刻该半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构；沿着该非平面晶体管结构的所述侧壁沉积牺牲衬垫；沉积覆盖在该半导体基底上并且邻近该牺牲衬垫的约束材料；移除至少一部分该牺牲衬垫并且在该非平面晶体管结构的所述侧壁与该约束材料之间形成空隙；以及在该空隙中外延生长包覆层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
