[发明专利]硅化钨成膜工艺方法有效
| 申请号： | 201410234401.3 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517823B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅化钨成膜工艺方法，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本发明能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化钨成膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化钨成膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂；步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽；步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质；步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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