[发明专利]一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生一些新的峰并且趋于均匀而使击穿电压提高；浓度渐变型埋层的电中性作用补偿了漂移区优化的浓度而使器件比导通电阻降低，由此改善了LDMOS击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。

主权项

一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：分别位于半导体衬底表面上两侧且相互不邻接的浓度渐变型埋层和介质埋层，其中，浓度渐变型埋层靠近基区一侧，介质埋层靠近漏区一侧；基区位于浓度渐变型埋层表面，源区位于基区表面；漂移区与基区相邻接，位于浓度渐变型埋层、介质埋层以及这两者之间的半导体衬底中部共同形成的表面；漏区位于漂移区表面；所述浓度渐变型埋层的掺杂类型与半导体衬底的掺杂类型相同，与漂移区的掺杂类型相反；浓度渐变型埋层的掺杂浓度大于半导体衬底的掺杂浓度，浓度渐变型埋层的掺杂浓度从源区到漏区方向呈整体递减趋势。