[发明专利]一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410234520.9 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009076B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁嵩;杨银堂;郭海君 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有钝化层电荷补偿的新AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新的晶体结构是在晶体管栅极和漏极之间的表面钝化层中注入电荷形成电荷补偿层，这些电荷存在于晶体管表面，在不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的同时能通过电场调制效应使表面电场重新分布，产生新的电场峰，从而使得栅边缘以及漏端高电场降低，表面电场趋于均匀，击穿电压和器件可靠性相比于传统结构也就有了明显的提高与改善。另外利用电荷补偿层的电荷补偿作用，使沟道载流子浓度重新分布，可以使器件导通电阻减小，输出电流增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括：半绝缘衬底；位于所述半绝缘衬底上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上异质外延生长的AlGaN层；分列于所述AlGaN层上的源极、栅极以及漏极；位于所述AlGaN层上栅极与漏极之间生长的表面钝化层，其特征在于：所述表面钝化层内具有调制沟道载流子浓度的电荷补偿层；所述电荷补偿层是通过在表面钝化层注入正电荷和负电荷形成的，具体是：由栅到漏依次注入高浓度负电荷，再递减至无电荷注入，再递增至高浓度正离子；或者在栅边缘注入正电荷；或者由栅到漏均注入正电荷。
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