[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括存储区域和逻辑区域；在存储区域上形成若干第一多晶硅层；形成覆盖第一多晶硅层的控制栅介质材料层；形成覆盖控制栅介质材料层和逻辑区域的第二多晶硅层；刻蚀部分第二多晶硅层和控制栅介质材料层，形成暴露出第一多晶硅层顶部部分表面的第二开口；形成覆盖第二多晶硅层的第三多晶硅层；刻蚀存储区域的部分第三多晶硅层、第二多晶硅层、控制栅介质材料层和第一多晶硅层，形成闪存器件的选择栅，浮栅和位于浮栅上的控制栅；形成覆盖选择栅、控制栅的保护层；在保护层上形成光刻胶层；刻蚀逻辑区域的第三多晶硅层和第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅极。防止控制栅和选择栅上凹陷的产生。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域和逻辑区域；在半导体衬底的存储区域上形成若干分立第一多晶硅层，相邻第一多晶硅层之间具有第一开口，所述第一多晶硅层包括第一部分和第一部分相邻的第二部分；形成覆盖所述第一多晶硅层侧壁和表面以及半导体衬底表面的控制栅介质材料层；形成覆盖所述控制栅介质材料层和逻辑区域的半导体衬底的第二多晶硅层；刻蚀第一部分的第一多晶硅层上的部分第二多晶硅层和控制栅介质材料层，在存储区域的第二多晶硅层和控制栅介质材料层中形成暴露出第一部分的第一多晶硅层顶部部分表面的第二开口；形成覆盖所述第二多晶硅层的第三多晶硅层，所述第三多晶硅层填充满第二开口；刻蚀第一部分上的部分第三多晶硅层、第二开口两侧的部分第二多晶硅层、控制栅介质材料层和第一多晶硅层，形成闪存器件的选择栅，刻蚀第二部分上的部分第三多晶硅层、第二多晶硅层、控制栅介质材料层和第一多晶硅层，形成闪存器件的浮栅、覆盖浮栅的侧壁和顶部表面的控制栅介质层，位于控制栅介质层上的控制栅；形成覆盖所述逻辑区域的第三多晶硅层、存储区域的半导体衬底、选择栅、控制栅、控制栅介质层、浮栅表面的保护层，所述保护层的材料与多晶硅层材料不相同；在所述保护层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀逻辑区域的第三多晶硅层和第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅极。