[发明专利]SRAM存储单元及存储阵列

摘要

本发明涉及SRAM存储单元及存储阵列。SRAM存储单元包括第一双栅PMOS晶体管、第二双栅PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管、第二传输晶体管及补偿单元。本发明能够克服SRAM存储单元的单粒子反转效应。

主权项

一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：第一双栅PMOS晶体管、第二双栅PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；其中，所述第一双栅PMOS晶体管的第一栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二双栅PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的漏极及第二传输晶体管的一极连接以形成第一存储节点，所述第二传输晶体管的另一极连接至第一位线；所述第二双栅PMOS晶体管的第一栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一双栅PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极及第一传输晶体管的一极连接以形成第二存储节点，所述第一传输晶体管的另一极连接至第二位线；所述第一传输晶体管以及第二传输晶体管的控制极连接至字线，所述第一双栅PMOS晶体管的源极及第二双栅PMOS晶体管的源极连接至第一电压，所述第一NMOS晶体管的源极及第二NMOS晶体管的源极连接至第二电压；所述SRAM存储单元还包括：补偿单元；所述补偿单元具有第一补偿节点及第二补偿节点，所述第一双栅PMOS晶体管的第二栅极连接至所述第一补偿节点，所述第二双栅PMOS晶体管的第二栅极连接至所述第二补偿节点，所述补偿单元适于在所述第一存储节点及第二存储节点的电压突变时维持所述第一补偿节点及第二补偿节点的电平值；所述补偿单元包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管及第四PMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的栅极、第三PMOS晶体管的漏极及第四PMOS晶体管的源极连接以形成所述第二补偿节点，所述第四PMOS晶体管的漏极连接至所述字线，所述第四PMOS晶体管的栅极连接至所述第二存储节点；所述第三PMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极及第二PMOS晶体管的源极连接以形成所述第一补偿节点，所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述字线，所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第一存储节点；所述第一PMOS晶体管的源极及第三PMOS晶体管的源极连接至所述第一电压。