[发明专利]一种单晶硅材料的力学测试方法在审

专利信息
申请号: 201410235591.0 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN103994920A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 王连军;刘霞;顾士甲;江莞 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: G01N3/00 分类号: G01N3/00;G01N1/28
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种单晶硅材料的力学测试方法,首先,对单晶硅片进行处理,包括表面处理、掺杂以及退火处理等方式中一种或几种,然后将其切割,最后利用MSP测试系统测试样品常温下的力学性能。本发明的测试方法不同于现有的测试方法如强度测试(三点抗弯)等都要求较大尺寸的样品,而在实际应用中多采用小尺寸单晶硅材料,因此目前的测试方法不能准确的评价其在实际应用中的力学性能。本发明是一种适用于脆性小样品力学性能测试的方法,具有样品制备简单、测试简便的优点,且具有样品固定方便、稳定等突出优势,因此可以在室温下评价小尺寸单晶硅材料的力学性能。
搜索关键词: 一种 单晶硅 材料 力学 测试 方法
【主权项】:
一种单晶硅材料的力学测试方法,包括下述步骤:1)对单晶硅片进行处理,包括表面处理、掺杂以及退火处理中的一种或几种;2)将处理好的单晶硅片切割,利用MSP测试系统对其进行MSP强度和断裂载荷的力学性能测试。
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