[发明专利]一种发光二极管的外延结构

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延结构，包括依次层叠的衬底层、第一n型氮化镓层、第一量子阱层、第一p型氮化镓层、隧穿结层、第二n型氮化镓层、第二量子阱层和第二p型氮化镓层；其中，隧穿结层包括依次层叠的p++氮化镓层、调制掺硅的铟镓氮层和n+氮化镓层；p++氮化镓层覆盖贴合于第一p型氮化镓层，n+氮化镓层层叠覆盖贴合于第二n型氮化镓层。该发光二极管的外延结构，与现有的LED芯片相比，增加了单个芯片晶粒的功率和电压，降低了衬底的使用成本，甚至简化了芯片制作工艺。在取代或优化目前的高压氮化物发光二极管上具有很大的优势。

主权项

一种发光二极管的外延结构，其特征在于，所述发光二极管的外延结构包括依次层叠的衬底层、第一n型氮化镓层、第一量子阱层、第一p型氮化镓层、隧穿结层、第二n型氮化镓层、第二量子阱层和第二p型氮化镓层；其中，所述隧穿结层包括依次层叠的p++氮化镓层、调制掺硅的铟镓氮层和n+氮化镓层；所述p++氮化镓层覆盖贴合于所述第一p型氮化镓层，所述n+氮化镓层层叠覆盖贴合于所述第二n型氮化镓层，所述p++氮化镓层的掺杂浓度为1E20～1E21cm‑3，所述n+氮化镓层的掺杂浓度为1E20～1E21cm‑3。