[发明专利]一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法

摘要

本发明公开一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法，该装置包括工艺腔、密封盖、药液供给管、晶圆夹盘、洗液进给管和温度控制系统，所述半导体加工装置的工艺腔外部安装有加热源，所述药液供给管外包覆有管路加热装置。本发明所述的半导体加工装置通过一些独特的结构设计，可以保证半导体晶圆在湿法蚀刻的过程中药液温度与晶圆表面温度近乎相同，当药液滴至晶圆表面后，晶圆各处能够以一个均一的速率完成刻蚀过程，从而确保了晶圆片内的均匀度。

主权项

一种半导体加工装置，包括工艺腔、密封盖、药液供给管、晶圆夹盘、洗液进给管和温度控制系统，其特征在于，所述半导体加工装置的工艺腔外部安装有加热源，所述药液供给管外包覆有管路加热装置，所述温度控制系统采集药液和晶圆表面的温度数据，在湿法蚀刻工艺阶段保持该药液的温度和晶圆表面的温度的温差在1℃范围内，在干燥阶段提升晶圆温度至80℃以上。