[发明专利]半导体器件以及半导体器件的操作方法有效

专利信息
申请号: 201410236330.0 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104218951B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 川野孝浩 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 韩峰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体器件以及半导体器件的操作方法。半导体器件包括模拟‑数字转换电路。模拟‑数字转换电路包括延迟单元阵列和编码器。延迟单元阵列包含n个串联耦合的延迟单元,接收基准时钟信号,并利用模拟输入信号作为用于每一级中的延迟单元的电源电压。编码器对于来自延迟单元阵列的每一级的延迟单元的输出信号进行编码,并输出编码后的输出信号作为数字输出信号。n个延迟单元包括对于每个延迟单元加权的延迟量。编码器通过对应于延迟单元级的数目的加权,来对延迟单元阵列的每一级中的延迟单元的输出信号进行编码。
搜索关键词: 半导体器件 以及 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:模拟‑数字转换电路,其中,所述模拟‑数字转换电路包括:延迟单元阵列,所述延迟单元阵列包含串联耦合的n个延迟单元,所述延迟单元阵列接收基准时钟信号,并且利用模拟输入信号作为每一级中的延迟单元的电源电压,n是2以上的自然数;和编码器,所述编码器对所述延迟单元阵列的每一级中的延迟单元的输出信号进行编码,其中,所述n个延迟单元包括对于每个延迟单元加权的延迟量,并且其中,所述编码器通过与延迟单元级的级数相对应地加权,来对所述延迟单元阵列的每一级中的延迟单元的输出信号进行编码,其中,所述延迟单元阵列的第一级延迟单元响应于对延迟量进行调整的延迟量控制信号,来增加或减少所述第一级延迟单元的延迟量,并且其中,所述编码器响应于所述延迟量控制信号,对于n个延迟单元中的每个,来改变与延迟单元级的级数相对应的加权。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410236330.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top