[发明专利]一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法有效
| 申请号： | 201410237615.6 | 申请日： | 2014-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104411103B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张永爱;郭太良;周雄图;叶芸;胡利勤;辛琦;林婷;林木飞 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，包含以下步骤1、选取一平板基底，并对平板基底进行清洗；2、在平板基底表面沉积一层过渡层；3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料，并高温焙烧形成厚膜银浆导电层；4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层；5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜，在保护层表面形成图形化光刻胶；6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层；7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层，得到图形化厚膜银浆导电层；8、去除光刻胶，然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层；9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理，形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度，还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 化厚膜银浆 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤S1：选取一平板基底，并对平板基底进行清洗；步骤S2：在平板基底表面沉积一层过渡层； 所述过渡层为透明介质层，由氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氧化钽、氧化铪、氧化锆中一种构成或两种及以上复合而成；步骤S3：在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料，并高温焙烧形成厚膜银浆导电层；步骤S4：在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层；步骤S5：在保护层表面涂覆光刻胶、经曝光、显影和固膜后形成图形化光刻胶；步骤S6：刻蚀无光刻胶覆盖的保护层；步骤S7：然后刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层，得到图形化厚膜银浆导电层；步骤S8：去除光刻胶，然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层；步骤S9：对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理，形成最终的图形化厚膜银浆导电层。
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