[发明专利]一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料及其制备方法。所制备的ZnSe‑GaP固溶体纳米材料形貌呈线状，直径为50‑500纳米，长度为5微米‑5毫米。该ZnSe‑GaP固溶体纳米材料的制备方法是在三温区管式炉中加入硒化锌、磷化镓、硒粉和锌粉，利用CVD法在石墨衬底上生长而得。该方法制备的ZnSe‑GaP固溶体纳米材料结晶良好，长径比大，尺寸均匀，工艺流程简单，工艺参数易于控制，操作简单，适合大面积制备并用于制备纳米光电器件。

主权项

一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料的制备方法，其特征在于：所述纳米材料为ZnSe‑GaP固溶体纳米线，平均直径为50‑500纳米，纳米线长度为5微米‑5毫米；所述ZnSe‑GaP固溶体纳米材料的制备方法包括如下步骤：(1)称取所需量的硒化锌粉末和磷化镓粉末，分别置于两个不同的瓷舟中；(2)称取所需量的硒粉和锌粉，置于步骤(1)中装有硒化锌粉末的瓷舟中，所述硒粉与硒化锌粉末的摩尔比例为(1‑5)：10，锌粉与硒化锌粉末的摩尔比例为(1‑5)：10；(3)将装有药品的两个瓷舟分别放在两个小石英管中，然后将两个小石英管平行放进一个大石英管中，三个管口同向，再将大石英管置于三温区管式炉中，调整瓷舟位置使其放置在三温区管式炉中的中温区，在中温区瓷舟的下游和下温区分别放置衬底；(4)在大石英管中通入氩气清洗石英管，气流速率为50‑250sccm，通入时间为10‑60min；(5)将通入氩气的气流速率下调至50‑150sccm，在该条件下的氩气气氛下，将三温区管式炉上温区、中温区和下温区分别同时加热到1000‑1200℃、1000‑1200℃和600‑900℃，然后保温30‑90min，即获得所述ZnSe‑GaP固溶体纳米材料。