[发明专利]减少存储单元临界电压偏移的方法

摘要

一种减少存储单元临界电压偏移的方法，包括在基板上的栅极结构表面形成氧化物衬层，再形成第一氮化硅层。在去除基板表面的第一氮化硅层后进行第一离子注入步骤。然后完全去除第一氮化硅层，再在基板上形成覆盖氧化物衬层与栅极结构的第二氮化硅层。之后，在基板上形成覆盖第二氮化硅层的第一氧化硅层，并进行回蚀刻以形成氧化硅间隔壁。然后进行第二离子注入步骤，再完全去除氧化硅间隔壁，并于基板上形成完整覆盖第二氮化硅层的第二氧化硅层。

主权项

一种减少存储单元临界电压偏移的方法，其特征在于：所述方法包括：在基板上的多个栅极结构表面覆盖氧化物衬层；在所述基板上形成覆盖所述氧化物衬层与所述多个栅极结构的第一氮化硅层；去除所述基板表面的所述第一氮化硅层；进行第一离子注入步骤；完全去除所述第一氮化硅层；在所述基板上形成覆盖所述氧化物衬层与所述多个栅极结构的第二氮化硅层；在所述基板上形成覆盖所述第二氮化硅层的第一氧化硅层；回蚀刻所述第一氧化硅层，以形成多个氧化硅间隔壁；进行第二离子注入步骤；完全去除所述多个氧化硅间隔壁；以及在所述基板上形成覆盖所述第二氮化硅层的第二氧化硅层。