[发明专利]一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件有效

专利信息
申请号: 201410238781.8 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN103972233B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 乔明;马金荣;齐钊;黄军军;曲黎明;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李玉兴
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件。当外加ESD脉冲时,RC触发电路向栅极电压提供高电位,开启NMOS,从而有效的开启SCR,达到泄放电流的目的;ESD脉冲电流泄放后,RC触发电路向栅极电压提供低电位,开启PMOS,减小寄生NPN晶体管的增益,使得闩锁效应的条件不能满足,有效的关断SCR,从而防止上电情况下闩锁效应的发生。本发明尤其适用于ESD保护用SCR器件。
搜索关键词: 一种 具有 抗闩锁 能力 可关断 scr 器件
【主权项】:
一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件,其特征在于,包括P型衬底(201)、分别设置在P型衬底(201)上层两侧的第一N型阱区(202)和第二N型阱区(203);其中,第一N型阱区(202)中设置有相互独立的第一P型重掺杂区(205)和第一N型重掺杂区(204),其中第一P型重掺杂区(205)靠近器件栅极;第二N型阱区(203)上层远离第一P型重掺杂区(205)的一侧设置有第二P型重掺杂区(206);第一N型阱区(202)和第二N型阱区(203)之间的P型衬底(201)上表面设置有栅氧化层(207),栅氧化层(207)上表面设置有多晶硅栅(208);第一N型重掺杂区(204)和第一P型重掺杂区(205)上表面接阴极;第二P型重掺杂区(206)上表面接阳极。
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