[发明专利]一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法有效
| 申请号： | 201410239956.7 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103966605A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 廖伟;秦坤;李有群;廉鹏 | 申请（专利权）人： | 马鞍山太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 蒋海军 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法，属于表面粗化领域。它包括一种刻蚀液及一种LED芯片表面粗化方法，刻蚀液由盐酸、磷酸、硫酸和双氧水组成，LED芯片表面粗化结合了等离子刻蚀和湿法刻蚀两种方法，使刻蚀孔呈碗状，能有效减小出射光的全反射，提高了LED芯片的出光效率，本发明中的粗化方法不会引起LED芯片表面接触电压升高，对产品可靠性也没有影响，具有工艺简单、设计合理、操作简便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 gap 刻蚀 方法 以及 表面 | ||
【主权项】：
一种LED芯片GaP层用刻蚀液，其特征在于：其由盐酸、磷酸、硫酸和双氧水组成，所述的刻蚀液中各组分的体积分数分别为：盐酸10‑20％，磷酸30‑50％，硫酸10‑20％，双氧水25‑40％。
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