[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410240041.8 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104576734B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 柳惟信;吴宝石;孙振荣 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：阱区域；设置在阱区域中的漏极区域和源极区域；设置在阱区域上方的栅极电极；设置在栅极电极下面的薄栅极绝缘层和厚栅极绝缘层，厚栅极绝缘层被设置成比薄栅极绝缘层更靠近漏极区域；以及设置在栅极电极下方的延伸漏极结区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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