[发明专利]一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池无效
申请号: | 201410240195.7 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN104091850A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 李孝峰;张程;詹耀辉;翟雄飞;尚爱雪 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076;H01L31/0392;H01L31/046;H01L31/054 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 伊美年 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池,包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层,绝缘层上设有多个与n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔,n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与中间层的上表面接触,p型非晶硅层和i型非晶硅层设于绝缘层的上表面。其优点在于,不仅可以充分利用非晶硅纳米线的聚光特性,形成多种光的波导模式,同时还利用了非晶硅的纳米尺度柱状结构,当光入射到太阳能电池表面时发生多次反射/散射,增加光在太阳能电池中的路径,提高太阳光吸收率,从而提高本太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 纳米 线微晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池,其特征在于,包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层,所述非晶硅纳米线阵列层包括多个垂直于所述绝缘层且间隔设置的非晶硅纳米线,所述非晶硅纳米线包括依次由外而内且径向设置的p型非晶硅层、i型非晶硅层、n型非晶硅核,所述绝缘层上设有多个与所述n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔,所述n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与所述中间层的上表面接触,所述p型非晶硅层和所述i型非晶硅层设于所述绝缘层的上表面,同时在所述绝缘层未覆盖非晶硅纳米线区域填充有透明电极间隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的