[发明专利]形成互连结构的方法有效
申请号: | 201410240705.0 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105140173B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 张城龙;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种形成互连结构的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成层间介质层;刻蚀所述层间介质层,以形成开口,使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构,或者,使开口的底部为截面呈倒梯形的结构;在所述开口中填充金属层。本发明的有益效果在于,使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构,或者,使开口的底部为截面呈倒梯形的结构,这样有利于改善开口的填充条件,有利于提高在开口中填充金属层的填充效果,从而提高了互连结构的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成互连结构的方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成层间介质层;刻蚀所述层间介质层形成开口,使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构,或者使开口的底部为截面呈倒梯形的结构;在所述开口中填充金属层;刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括:采用第一氟基刻蚀剂、第二氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层,所述第一氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例与第二氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例不同;刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括:先采用第一氟基刻蚀剂进行刻蚀,然后采用第二氟基刻蚀剂进行刻蚀以形成所述开口;所述第二氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例大于所述第一氟基刻蚀中氟的原子个数的比例,以使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构;刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括:先采用全氟丁二烯气体作为第一氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层,然后采用四氟化碳气体作为第二氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层,以形成所述开口。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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