[发明专利]将施主晶片扭曲到寄主晶片的相应扭曲的方法有效
申请号: | 201410240841.X | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN104217926B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 林玮;S·斯科尔达斯;T·A·沃 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 冯玉清 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种将施主晶片扭曲到寄主晶片的相应扭曲的方法。本发明涉及一种总体上用于改进晶片到晶片结合对准的方法。确定寄主晶片的结合表面的平面扭曲。扭曲施主晶片的结合表面,从而使得施主晶片结合表面的扭曲对应于所确定的寄主晶片结合表面的平面扭曲。此外本发明还涉及一种用以分离已结合晶片的方法。已结合晶片对被安放在具有平坦卡盘面的第一和第二结合卡盘之间,第一结合卡盘面包括能够相对于彼此移动的各个可调节区块,其中所述相对移动的至少一个分量是沿着垂直于平坦的第一结合卡盘面的轴。按照协调方式将第一面的各个可调节区块相对于彼此移动,从而使得在所述晶片对的结合面之间形成加宽间隙。 | ||
搜索关键词: | 施主 晶片 扭曲 寄主 相应 方法 | ||
【主权项】:
一种用于结合施主晶片与寄主晶片的方法,其包括:确定寄主晶片的结合表面的平面扭曲;以及扭曲施主晶片的结合表面,从而使得施主晶片结合表面的扭曲对应于所确定的寄主晶片结合表面的平面扭曲,其中,扭曲施主晶片的结合表面包括:通过多个固定点把施主晶片安放在结合卡盘上,所述结合卡盘包括能够相对于彼此移动的多个区块;以及相对于彼此移动各个区块,从而导致施主晶片的结合表面的扭曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造