[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410241507.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103996772B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 潘家铭;黄冠英;杨恕帆;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片及其制作方法，其具有发光外延叠层，至少依次包括第一半导体层、发光层及其第二半导体层，将第二半导体层设置成侧壁倾斜结构或具有倾斜侧边的凸起结构，然后在其顶面上披覆透明导电层，并延伸至其倾斜侧壁/侧边上，可以增加透明导电层与倾斜侧壁/侧边的接触面积，相对于常规平面结构而言其接触面积有效增加，如此有助于降低发光二极管操作电压。此外，外延叠层中的发光层辐射出光线遇上侧壁倾斜结构的金属延伸电极（透明导电层），将依照入射‑反射原理，将光线反射至侧壁,如此增加LED组件出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管芯片，包括：一第一半导体层；一发光层，形成于所述第一半导体层上；一第二半导体层，形成于所述发光层上，其具有若干个凸起，且所述凸起具有一顶面、一底面和至少一倾斜侧边，所述倾斜侧边与底面内侧形成一锐角，所述凸起的倾斜侧边全部呈相互平行；一透明导电层，形成于部分所述凸起的顶面并延伸至所述凸起的倾斜侧边上，有效增加欧姆接触面积，降低发光二极管操作电压；一电极形成于所述透明导电层上。
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