[发明专利]一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法

摘要

本发明公开了一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，在连续式磁控溅射设备上，在合适的镀膜环境下，通过镀膜设备工艺参数优化，可在玻璃、PET、PI等上进行AZO导电膜的镀膜，实现室温下AZO导电膜的连续式生，本发明在16～26℃的温度环境下实现AZO导电膜的镀膜过程，无须进行加热，避免了加热引起的基材变形甚至扭曲起来，导致薄膜不均匀，可明显提高AZO薄膜的均匀性，并有效提高AZO薄膜的附着力，同时增加的基材的可选范围，降低了镀膜的成本。

主权项

一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，对待镀膜的基材进行盘刷、滚刷清洗并进行烘干或者静电除尘，去除待镀膜的基材的镀膜面的杂质，将处理后的待镀膜的基材进行烘干之后送入洁净室；步骤二，镀膜设备为连续式磁控溅射镀膜设备，靶材为AZO靶材，AZO靶材的纯度为3N以上，将待镀膜的基材从洁净室放入连续式磁控溅射镀膜设备的工艺腔体，对工艺腔体进行抽真空，本底真空度要求优于5×10^‑4Pa；步骤三，向工艺腔体内充入工艺气体，使工艺腔体内气压保持在0.1~0.7Pa，镀膜环境要求空气洁净度达到十万量级，湿度50%以下，温度在16～26℃之间，开启续式磁控溅射镀膜设备的阴极电源，对基材的镀膜面进行溅射镀膜，其中调整连续式磁控溅射镀膜设备镀膜的工艺参数为：靶材溅射功率为1~5w/cm ² ，靶材与基材间的距离为10~25cm，基材传输速度为0.5~3.0m/min。