[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201410241624.2 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103985642B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王景道;姜利军 | 申请（专利权）人： | 杭州大立微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/04 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，所述封装方法包括如下步骤提供一第一基板和一第二基板；在所述第一基板和第二基板的表面形成焊环；以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明的优点在于，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明采用加厚的焊环形成的深腔替代深腔刻蚀或额外的深腔环，大大简化了结构及工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一第一基板和第二基板，所述第一基板为MEMS器件晶圆，所述第二基板为封盖晶圆；在第一基板及第二基板表面分别形成焊环区域，在所述第一基板和第二基板的焊环区域内形成焊环，所述焊环包括结构层及焊料层，所述结构层厚度为几十至几百微米，所述焊料层厚度小于3微米；以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件；将键合后的晶圆划为单个芯片；在所述形成焊环步骤之前，在所述第一基板和第二基板的表面均形成阻挡层及种子层，在形成焊环步骤之后，键合步骤之前，去除所述第一基板和第二基板的表面焊环覆盖区域以外的阻挡层及种子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州大立微电子有限公司，未经杭州大立微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410241624.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
