[发明专利]柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410241886.9 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103993284A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，采用固相烧结法制备Zn1-xPxO(x＝0.02～0.1)靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为200～500mm的PZO薄膜。本发明薄膜的表面平整，结晶良好，在可见光区的光学透过率高(≥85％)，制备工艺简单、电学性能优良(电阻率最低可到1.12×10-3，载流子浓度为8.1×1020，载流子迁移率为6.9cm2V-1s-1)，具有良好的应用前景，可望成为硬质衬底材料的更新换代产品。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 掺杂 zno 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备P掺杂的ZnO靶材即PZO靶材按Zn1‑xPxO，其中x＝0.02～0.1对应元素的化学计量比称取ZnO和P2O5粉体，充分混合后压制成型，再放入电炉中于1150℃烧制成PZO陶瓷靶材；(2)将清洁干燥的衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10‑3P以下，然后加热衬底至200℃；(4)在步骤3系统中，使用Ar和O2作为溅射气体。溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为200～500mm的PZO薄膜。
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