[发明专利]透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管及其制备方法，化学式为Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7；首先采用固相烧结法于1350～1500℃烧制Ba_xSr_1-xTiO₃靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O₂作为溅射气体，沉积得到Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜；再于氧气气氛中进行后退火处理，再于薄膜上面制备金属电极，制得透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管。本发明透明性高，调谐率适中，器件稳定性好，且工艺简单，电极性能优良，成本低廉，适合工业化生产，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的元器件基础。

主权项

一种透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，化学式为Ba_xSr_1‑xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7；该透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：(1)采用固相烧结法制备Ba_xSr_1‑xTiO₃靶材，其中x﹦0.5～0.7；按照Ba_xSr_1‑xTiO₃对应元素的化学计量比称取原料BaTiO₃和SrTO₃，充分混合后压制成型，置于电炉中于1350～1500℃烧制Ba_xSr_1‑xTiO₃靶材；(2)将清洁干燥的氧化铟锡即ITO玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10^‑7～7.0×10^‑6Torr，然后加热ITO玻璃衬底至400～700℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O₂作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到Ba_xSr_1‑xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜；薄膜厚度为150～500nm；(5)步骤(3)的ITO玻璃衬底温度降至100℃以下时，取出制品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；(6)步骤(5)退火处理后的Ba_xSr_1‑xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管。