[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410243258.4 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105236347B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张先明;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01L9/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层。根据本发明的方法，提高了压力传感器的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层。
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