[发明专利]一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法有效
| 申请号： | 201410243559.7 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104021881B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨军;邱玉锐;王炜;李慧峰 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C01B31/04 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214171 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法。本发明利用掺杂试剂对转移膜上的石墨烯薄膜进行掺杂，而后将掺杂后的石墨烯薄膜转移至目标衬底上，重复这一步骤，转移至少两层石墨烯薄膜。其中转移膜上的石墨烯也可以不掺杂，或者使用不同的掺杂试剂，进行不同的排列组合顺序的多次转移。通过此法可以方便快捷的得到大面积的低方阻石墨烯材料，所得材料具有良好的导电性和稳定性，同时可以有效的减少甚至避免石墨烯经掺杂转移后方阻衰减的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 石墨 烯方阻 掺杂 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将转移膜上的石墨烯薄膜进行清洗后烘烤；(2)用掺杂试剂对烘烤之后的石墨烯薄膜进行掺杂；(3)对掺杂之后的石墨烯薄膜进行预处理；(4)将步骤(1)得到的未掺杂的或者步骤(3)得到的掺杂并预处理的石墨烯薄膜转移至目标衬底上，进行烘烤之后去除转移膜；(5)重复步骤(1)～步骤(4)至少一次。
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