[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括a)提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有布线金属层，布线金属层上形成有介电层，介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中第二介电层的材料不同于第一介电层和第三介电层；b)依次对第三介电层、第二介电层和第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从第一凹槽向两侧对第二介电层进行刻蚀，以在第一介电层和第三介电层之间形成横向槽，并使第一凹槽暴露布线金属层；以及d)在布线金属层以及第三介电层上形成反射层，且布线金属层上的反射层与第三介电层上的反射层断开。该方法能够使焊垫上的反射层与焊垫外的反射层断开。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有布线金属层，所述布线金属层上形成有介电层，所述介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中所述第二介电层的材料不同于所述第一介电层和所述第三介电层；b)依次对所述第三介电层、所述第二介电层和所述第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从所述第一凹槽向两侧对所述第二介电层进行刻蚀，以在所述第一介电层和所述第三介电层之间形成横向槽，并使所述第一凹槽暴露所述布线金属层；以及d)在所述布线金属层以及所述第三介电层上形成反射层，且所述布线金属层上的反射层与所述第三介电层上的反射层断开。