[发明专利]热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410245350.4 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104212369A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;菅生悠树;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/00 | 分类号： | C09J7/00;C09J7/02;C09J11/00;H01L21/50;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法，所述热固型芯片接合薄膜的导热性高、且贴附于被粘物时能够充分地追随被粘物的凹凸。一种热固型芯片接合薄膜，其在热固化后的导热系数为1W/m·K以上，其含有相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上的导热系数为12W/m·K以上的导热性颗粒，所述热固型芯片接合薄膜在130℃下以50秒-1的剪切速率测定的熔融粘度为200Pa·s以下。 | ||
| 搜索关键词： | 热固型 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种热固型芯片接合薄膜，其特征在于，其在热固化后的导热系数为1W/m·K以上，其含有相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上的导热系数为12W/m·K以上的导热性颗粒，所述热固型芯片接合薄膜在130℃下以50秒‑1的剪切速率测定的熔融粘度为200Pa·s以下。
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