[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410245975.0 | 申请日: | 2014-06-04 |
公开(公告)号: | CN105140309B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 兰立广;童翔;李鸿儒;张英;张庆钊;丁建 | 申请(专利权)人: | 北京创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法,其包括衬底层、背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层、低阻透明导电窗口层和采集电极,所述低阻透明导电窗口层包括阵列型纳米孔;所述制备方法,包括(1)依次在衬底层上制备背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层和低阻透明导电窗口层;(2)制备阵列型纳米孔;(3)制备采集电极。低阻透明导电窗口层上阵列型纳米孔的制备可降低低阻透明导电窗口层对光的吸收性,增大光吸收层的进光量。在采集电极制备过程中,电极材料可填充纳米孔,提高采集电极与低阻透明导电窗口层的有效接触面积,提高太阳能电池的输出功率,该制备方法比现有技术工艺简便,设备简单,易于操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括衬底层,以及沿远离衬底层的方向依次设置在衬底层上的背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层、低阻透明导电窗口层和采集电极,其特征在于,所述低阻透明导电窗口层包括阵列型纳米孔,所述阵列型纳米孔的深度小于或等于所述低阻透明导电窗口层的厚度;所述阵列型纳米孔的开孔面积占所述低阻透明导电窗口层面积的50%~80%,单个所述纳米孔横截面的截面积为1×104~4×106nm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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