[发明专利]一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法有效
| 申请号： | 201410246865.6 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104073876B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0<t≤0.5。本发明克服快门机械移动过程引起的异质材料界面问题，使异质材料具有更优的异质界面质量，可用于制备多量子阱、超晶格、量子级联激光器等多种结构，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 材料 界面 质量 分子 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0<t≤0.5。
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