[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410247229.5 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104241257B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 山道新太郎;冈本学;本多广一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时，第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上，该网格点被布置成m行和n列(m>n)。此外，如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样，通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：布线板；第一半导体芯片，安装在所述布线板的第一表面上，并且该第一半导体芯片在平面图中是长方形；以及第二半导体芯片，设置在所述第一半导体芯片上，其中，所述第一半导体芯片具有面对所述第一表面的元件形成表面，并且具有多个第一直通硅通孔，其中，所述第二半导体芯片被电耦接到所述第一半导体芯片的所述第一直通硅通孔，其中，当与所述第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与所述第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时，所述第一直通硅通孔的每一个被布置在网格点的任一个上，所述网格点被布置成m行和n列，其中m＞n，并且其中，如沿着所述第一半导体芯片的短边所取的横截面上所观察到的，通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于所述第一半导体芯片的短边的中心。
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