[发明专利]具有鳍状结构的半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410247402.1 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105280496B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 简金城;许信国;刘志建;林进富;吴俊元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有鳍状结构的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一鳍状结构设于基底上以及一外延层设于该鳍状结构的一上表面及部分侧壁，其中外延层及该鳍状结构之间包含一锗浓度的线性梯度(linear gradient)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有鳍状结构的半导体元件的方法，包含：形成一鳍状结构于一基底上；形成一第一介电层于该基底及该鳍状结构上；沉积一第二介电层于该第一介电层上；回蚀刻部分该第二介电层；去除部分该第一介电层以暴露出该鳍状结构的一顶表面及部分侧壁；形成一外延层并覆盖所暴露的该鳍状结构的顶表面及部分侧壁，该鳍状结构及该外延层之间包含一锗浓度的线性梯度(linear gradient)；以及去除部分该第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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