[发明专利]一种半导体功率器件的终端结构在审
| 申请号： | 201410247639.X | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104022146A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 冯全源;陈晓培 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种半导体功率器件的终端结构。本发明的半导体功率器件的终端结构，该终端结构包括第一导电类型半导体衬底和设置在第一导电类型半导体衬底上层的外延层；其特征在于，该终端结构有且仅有主结，在该终端结构的截面上，所述主结设置在外延层上层，主结与外延层相互平行延伸至器件边沿，在主结中靠近器件栅极处设置有欧姆接触，主结上层设置有绝缘隔离层，绝缘隔离层上层设置有金属层。本发明的有益效果为，适用于任何耐压范围，对制造工艺无任何特殊要求，缓解了终端占用面积与工艺之间的矛盾，并且不会增加成本，同时还具有较好的容差。本发明尤其适用于半导体功率器件的终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的终端结构，该终端结构包括第一导电类型半导体衬底(501)和设置在第一导电类型半导体衬底(501)上层的外延层(502)；其特征在于，该终端结构有且仅有主结(510)，在该终端结构的截面上，所述主结(510)设置在外延层(502)上层，在主结(510)中靠近器件栅极处设置有欧姆接触(508)，主结(510)上层设置有绝缘隔离层(507)，绝缘隔离层(507)上层设置有金属层(509)。
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