[发明专利]一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法

摘要

一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法，属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯，并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于：以金属为基底，利用真空等离子喷涂技术，以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料，大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料，继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能。本发明具备系统结构简单、成本低廉、加工速度快和调控能力强等优点，适于制备大面积的石墨烯涂层材料，并在成份上有所创新，具有重大的商业价值和现实意义。

主权项

一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法，其特征在于以金属为基底，利用真空等离子喷涂技术，以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料，大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料，继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能，具体制备步骤如下：（1）配制用于真空等离子喷涂的铷铯掺杂石墨烯粉末材料；（2）以金属基为基体，预处理；（3）利用真空等离子喷涂，制备NiCo合金材料粘结打底层；（4）利用真空等离子喷涂，制备金属基铷铯掺杂石墨烯涂层。