[发明专利]一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器有效

专利信息
申请号: 201410249458.0 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN104009156B 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 王金斌;宋宏甲;钟高阔;李波;钟向丽;周益春 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所43114 代理人: 魏娟
地址: 411105*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器,在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层;所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5,且不高于铁电材料相对介电常数,厚度为1~20nm,且缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001~0.2;所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV,与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层,降低了存储单元中的缺陷及其控制难度,进而降低了缺陷对阻变行为的不利影响,从而显著提高了存储器的数据保持力、抗疲劳特性、高低电阻比及减小了数据波动性。
搜索关键词: 一种 多晶 薄膜 电阻 存储器
【主权项】:
一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器,包括下电极层、多晶铁电薄膜层和上电极层,多晶铁电薄膜层位于下电极层、上电极层之间,其特征在于,在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层;所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5,且不高于铁电材料相对介电常数,厚度为1~20nm,缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001~0.2;所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV,与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1;所述缺陷调控层材料为Y2O3和ZrO2的复合物,所述多晶铁电薄膜层材料为(Bi3.15Nd0.85)Ti3O12。
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