[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。本发明能够减少在第一半导体芯片中产生并通过硅通孔传递到第二半导体芯片的热量。第一半导体芯片具有第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中，第一电路形成区不与通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区重叠。在平面图中，一些连接端子位于第一电路形成区与硅通孔区之间。

主权项

1.一种半导体器件，包括：布线板；第一半导体芯片，其被安装于所述布线板的第一表面之上使得元件形成表面面朝所述第一表面，并且所述第一半导体芯片具有第一电路；第二半导体芯片，其被布置于所述第一半导体芯片之上；以及多个连接端子，其将所述第一半导体芯片与所述布线板耦接，其中所述第一半导体芯片具有面朝所述第一表面的所述元件形成表面，并且所述第一半导体芯片具有多个第一硅通孔，其中所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的所述第一硅通孔电耦接，其中每个所述第一硅通孔都被布置于成m行和n列排布的网格点中的任意一个上，其中m＞n，其中通过将成m行和n列排布的最外侧网格点耦接来界定的硅通孔区在平面图中不与所述第一电路重叠，其中所述硅通孔区在平面图中不与所述多个连接端子重叠，其中所述多个连接端子包括多个第一连接端子，其中所述多个第一连接端子中的一些连接端子在平面图中位于所述第一电路与所述第一硅通孔之间，其中所述第一半导体芯片和所述硅通孔区两者在平面图中都是矩形的，其中所述硅通孔区的长边在平面图中与所述第一半导体芯片的短边平行，其中所述第一电路在平面图中位于所述硅通孔区的所述长边与所述第一半导体芯片的所述短边之间，其中当在与所述硅通孔区平行的截面中观察时，所述硅通孔区的中心沿着与所述第一电路的相反方向偏离所述第一半导体芯片的中心，并且其中如果所述第一半导体芯片由通过使所述硅通孔区平行于所述硅通孔区的所述长边延伸而形成的区域划分，则包含所述第一电路的区域具有数量比另一区域更多的连接端子。