[发明专利]一种瑞格非尼的晶体及其制备方法

摘要

本发明提供一种瑞格非尼的晶体及其制备方法，使用Cu‑Kα辐射，其在X‑射线粉末衍射图谱中，在2θ约为7.20、13.34、14.46、14.72、15.57、16.44、17.17，18.52、18.80、19.75、23.37、23.75、24.22、24.71、25.84、26.23、26.35、27.11、27.40、29.24、30.33、31.5和34.92处有衍射峰。本发明提供的瑞格非尼晶体的制备方法简单，溶剂价廉易得，结晶条件温和，适合于工业化大生产。

主权项

1.瑞格非尼的晶体，使用Cu‑Kα辐射，其在X‑射线粉末衍射图谱中，具有如下特征，所述晶体的制备方法，包括以下步骤：(a)4‑[4‑({[4‑氯‑3‑(三氟甲基)苯基]氨基甲酰基}氨基)‑3‑氟苯氧基]‑N‑甲基吡啶‑2‑甲酰胺与选自丙酮、甲醇、乙醇、乙腈的有机溶剂中的一种或几种相混合，加热至回流，溶解；(b)将(a)的溶液在‑5℃～40℃温度下冷却析晶，过滤，减压干燥。