[发明专利]一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法有效
| 申请号： | 201410250429.6 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103991841A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李昕欣;陈传钊;许鹏程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，包括步骤：1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，生长第一自组装单层膜；2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜。4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。该方法可应用于多功能微流控芯片的批量制造，且材料制备简单成熟，易于操作，单次操作成本低廉，具有较强的推广及应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 多功能 化微流控 芯片 圆片级 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步骤：1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，在所述微通道和储液池中生长第一自组装单层膜；2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，与所述基底对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜；4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。
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