[发明专利]一种晶硅太阳电池扩散死层去除方法在审
| 申请号： | 201410250508.7 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103996750A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王强;章圆圆;陈培良 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶硅太阳电池扩散死层去除方法，对去磷硅玻璃后的晶体硅片，用NaClO水溶液、NaBrO4水溶液或H2O2碱溶液对死层进行氧化处理，然后用HF水溶液去除掉表面氧化层。本发明的晶硅太阳电池扩散死层去除方法，可以保证死层去除的比较干净，结深也更均匀，从而提高开路电压和短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 扩散 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳电池扩散死层去除方法，其特征在于，所述方法通过以下步骤完成：首先，对扩散处理后的晶体硅片进行去磷硅玻璃处理；接着，用NaClO水溶液、NaBrO4 水溶液或H2O2碱溶液对上述晶体硅片的死层进行氧化处理；最后，用HF水溶液去除上述晶体硅片表面的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
