[发明专利]闪存磨损优化方法及设备有效
申请号: | 201410250878.0 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN105138472B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 石亮;沙行勉;朱冠宇;王元钢;诸葛晴凤 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种闪存磨损优化方法及设备。该闪存磨损优化方法包括:当接收到写操作时,获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间;在预设的保存时间与编程操作的对应关系中,若匹配到与所述保存时间对应的编程操作,则采用所述与所述保存时间对应的编程操作,存储所述预保存数据,其中,所述预设的保存时间与编程操作的对应关系为保存时间、临界电压阈值及脉冲步幅之间的对应关系,且该对应关系满足不影响闪存的整体写操作性能。本发明实施例基于不同类型的数据具有不同的保存时间需求,选取不同的编程操作,从而实现在不影响闪存的整体写操作性能的前提下,降低对闪存的磨损,延长闪存的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 闪存 编程操作 保存 写操作 磨损 保存数据 预设 优化 关系满足 临界电压 时间需求 使用寿命 脉冲 匹配 存储 | ||
【主权项】:
1.一种闪存磨损优化方法,其特征在于,包括:当接收到写操作时,获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间;在预设的保存时间与编程操作的对应关系中,若匹配到与所述保存时间对应的编程操作,则采用所述与所述保存时间对应的编程操作,存储所述预保存数据,其中,所述预设的保存时间与编程操作的对应关系为保存时间、临界电压阈值及脉冲步幅之间的对应关系,且该对应关系满足不影响闪存的整体写操作性能;所述获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间,包括:根据所述预保存数据所对应的失效队列,获得所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间,所述失效队列用于记录每一闪存块中所存储数据的失效时间;根据所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间和所述写操作写入的时间,确定所述写操作的保存时间,并更新对应失效队列中所述闪存块中所存储数据的失效时间。
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